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汽车电子功率MOSFET
汽车电子功率MOSFET

过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展成为蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象。且封装很简单,主要采用TO220 和 TO247封装。电动车窗、燃油喷射、间歇式雨刷和巡航控制等应用已逐渐成为大多数汽车的标配,在设计中需要类似的功率器件。在这期间,随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及,车用功率MOSFET也不断发展壮大。

本文将介绍和讨论几种推动汽车电子功率器件变革的新型应用。还将探讨实现当前汽车电子系统功率MOSFET的一些发展状况。这些发展将有助于促进汽车电子行业向前,特别是在一些新兴市场如中国。详细阅读>>

干货"title="干货" 干货

功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。

锂电池短路保护:功率MOSFET及驱动电路的选择与设计

明仕彩票注册锂电池短路保护:功率MOSFET及驱动电路的选择与设计

 

锂电池具有能量高、使用寿命长、重量轻、绿色环保等优点得到广泛的应用。在锂电池的应用中,短路保护设计和整个系统的可靠性直接相关,因此,要保证电池安全工作,不仅要选择合适的功率MOSFET,而且要设计合适的驱动电路。本文将讲解如何选取功率MOSFET型号及设计合适的驱动电路。详细阅读>>

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N沟道功率MOSFET

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N沟道功率MOSFET

 

Vishay推出6.15mmx5.15mm PowerPAK®SO-8单体封装的60V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiR626DP。SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。详细阅读>>

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

 

Vishay推出最新第四代600V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60%。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。详细阅读>>

通过功率MOSFET的顶面温度估算结点温度

通过功率MOSFET的顶面温度估算结点温度

 

本文中,我们提出了一种根据器件的顶面温度估算MOSFET结点温度的快速而简单的方法,这易于利用一台探针台(bench probe)予以确定。为了开发一个利用顶面温度计算出结点温度的公式,我们利用Vishay Siliconix基于网络的ThermaSim™ 在不同条件下运行了一组对流行MOSFET封装类型的实验。为了得到与数据手册更好的一致性,应该在1英寸×1英寸的正方形FR-4板上安装MOSFET。详细阅读>>

明仕彩票注册理解功率MOSFET的开关损耗

 

理解功率MOSFET的开关损耗

功率MOSFET管的栅极电荷特性表述了栅极电压和栅极电荷的关系,结合栅极的电荷特性和漏极的导通特性可以直观而形象的理解MOSFET开通及关断过程。通常很多电子工程师知道,由于米勒电容的效应,MOSFET在开通及关断过程中产生开关损耗,在他们选型的时候,就会重点检查功率MOSFET管数据表的Qg和Ciss这两个参数,认为这两个因素主要影响开关损耗,本文将详细的分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。详细阅读>>

东芝推出新一代超结功率MOSFET

 

东芝推出新一代超结功率MOSFET

东芝推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。详细阅读>>

经典案例 经典案例
理解功率MOSFET的电流

理解功率MOSFET的电流

 

通常,在功率MOSFET的数据表中的第一页,列出了连续漏极电流ID,脉冲漏极电流IDM,雪崩电流IAV的额定值,然而对于许多电子工程师来说,他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中,它们如何影响系统以及如何选取这些电流值,常常感到困惑不解,本文将系统的阐述这些问题,并说明在实际的应用过程中如何考虑这些因素,最后给出选取它们的原则。详细阅读>>

硅功率MOSFET前景堪忧?

硅功率MOSFET前景堪忧?

 

30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源,硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来,MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期;然而与此同时,增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善,迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗?详细阅读>>

大、中功率MOSFET与IGBT驱动电路方案探讨

大、中功率MOSFET与IGBT驱动电路方案探讨

 

随着电力电子技术和电力半导体器件的飞速发展,近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种高性能、低损耗和低噪声的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备性能的优劣,而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时,应考虑以下几个因素:详细阅读>>

近年来,功率MOSFET广泛地应用于电源、计算机及外设(软、硬盘驱动器、打印机、扫描器等)、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。